符合Intel标准的DrMOS 6x6技术规范,DrMOS 多芯片模块在QFN封装内整合了上、下管MOSFET及肖特基二极管和MOSFET驱动器,内置式功率MOSFET适用于输入电压为5V/12V的应用,与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路。该模块还内置式三态输入功能,支持大量PWM控制器,能够实现3.3V/5V PWM信号。
瑞萨专家
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